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技术参数：

分辨率：1.0nm (15 kv)； 1.4nm(1 kv, wd = 1.5mm, 减速模式)；2.0nm (1 kv, wd = 1.5mm, 普通模式）
放大倍数：30倍-800,000倍 ；  电子枪：冷阴极场发射电子源 ;     加速电压:0.5-30kv (0.1kv/步，可变，普通模式) 
样品台： x: 0-50mm y: 0-50mm, z:1.5-30mm, t: -5-70°,r:360°, 样品尺寸最大直径：100mm（标准） 
信号选择：二次电子模式和背散射模式，x射线信号，辅助信号

应用范围：

    su8010拥有卓越的高分辨性能、先进的探测技术和友好的用户界面，使它能够精确和清楚地捕捉最短暂的瞬间。 采用了新型exb式探测器和电子束减速功能，提高了图像质量，尤其是将低加速电压下的图像质量提高到了新的水平；新型透镜系统，提供了高分辨模式、高束流模式、大工作距离模式、磁性样品模式等多种工作模式，使以往无法实现的工作得以轻松成,同时配备有高性能的horiba ex-350，可同时进行微区、亚微区成分定性和定量以及元素分布分析。

    利用它可进行：（1）形貌分析，通过形貌像可以对样品的形貌、粒径、分散性进行表征，可用于金属材料、薄膜材料、半导体材料、陶瓷材料、生物组织形貌像的观 察，同时还可对材料断口和失效进行分析（2）微区成分分析，通过对样品微区、亚微区成分进行分析定性、定量分析，可确定样品的组成。